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覆盖20~120W快充｜亚成微推出氮化镓合封电源芯片RM6820NQ/RM6604ND系列
来源：金沙集团娱乐场网址-(中山)有限公司 发布时间：2022-01-21 阅读次数：
近年来，氮化镓快充产品因充电快、发热小以及体积小备受消费者喜爱。随着消费需求的日益增长，氮化镓快充的市场规模也在持续扩大，众多快充厂商因此受益，同时越来越多的充电器都开始应用氮化镓功率器件，这无疑加快了行业对氮化镓高功率密度快充产品的创新。随着对氮化镓特性的不断了解，将氮化镓(GaN)与开关电源控制器合封的芯片也开始出现。
作为国内高功率密度快充解决方案的创新者，金沙集团娱乐场网址-(中山)有限公司在近日推出了氮化镓（GaN）合封开关电源芯RM6820NQ/RM6604ND系列，该系列芯片内部集成开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等，并具有小体积、高效率、高导热率、高通流等特点。通过功率集成，不仅简化了充电器的设计，还大幅减少了充电器初级元件数量，降低了对PCB板面积的要求，系统成本方面也更具有优势，并实现了高可靠、高效率、高集成的小型化快充电源设计要求。
【氮化镓（GaN）合封开关电源芯片RM6820NQ】
功能特点：
■ 专有 ZVS 技术；
■ 内置 650V GaNFET；
■ 支持最大 130KHz 工作频率；
■ Burst Mode 去噪音；
■ 集成斜坡补偿及 ZVS 高低压补偿；
■ 外置 OVP 保护；
■ 内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。
原理图：
【氮化镓（GaN）合封开关电源芯片RM6604ND】
功能特点：
■ 支持 CCM/QR 混合模式；
■ 内置 700V 高压启动；
■ 内置 650V GaNFET；
■ 最大输出功率36W；
■ 支持最大 130KHz 工作频率；
■ 内置特有抖频技术改善 EMI；
■ Burst Mode 去噪音；
■ 低启动电流（2uA），低工作电流；
■ 集成斜坡补偿；
■ 集成输入 Brown out/in 功能；
■ 外置 OVP 保护；
■ 具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护；
■ 内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。
原理图：
产品系列：
