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作为国内高功率密度快充解决方案的创新者,金沙集团娱乐场网址-(中山)有限公司在近日推出了氮化镓(GaN)合封开关电源芯RM6820NQ/RM6604ND系列,该系列芯片内部集成开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等,并具有小体积、高效率、高导热率、高通流等特点。通过功率集成,不仅简化了充电器的设计,还大幅减少了充电器初级元件数量,降低了对PCB板面积的要求,系统成本方面也更具有优势,并实现了高可靠、高效率、高集成的小型化快充电源设计要求。
【氮化镓(GaN)合封开关电源芯片RM6820NQ】
功能特点:
■ 专有 ZVS 技术;
■ 内置 650V GaNFET;
■ 支持最大 130KHz 工作频率;
■ Burst Mode 去噪音;
■ 集成斜坡补偿及 ZVS 高低压补偿;
■ 外置 OVP 保护;
■ 内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。
原理图:
【氮化镓(GaN)合封开关电源芯片RM6604ND】
功能特点:
■ 支持 CCM/QR 混合模式;
■ 内置 700V 高压启动;
■ 内置 650V GaNFET;
■ 最大输出功率36W;
■ 支持最大 130KHz 工作频率;
■ 内置特有抖频技术改善 EMI;
■ Burst Mode 去噪音;
■ 低启动电流(2uA),低工作电流;
■ 集成斜坡补偿;
■ 集成输入 Brown out/in 功能;
■ 外置 OVP 保护;
■ 具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护;
■ 内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。
原理图:
产品系列: