四通道恒流控制芯片-RM9001DA/DB

1.RM9001DA(DB)简介

        RM9001DA是一款四通道恒流控制芯片，可以实现恒功率，低谐波（THD），芯片具有智能温度保护功能（OTP），系统应用稳定，RM9001DA封装形式：ESOP8。

        RM9001DB是在RM9001DA的基础上改变封装形式，目的是在多颗芯片并联的时候，可以尽可能减少外围的0R跳线电阻。RM9001DA可以应用在小功率的有谐波要求的方案上，成本较RM9001DB便宜，大功率投光灯方案建议使用RM9001DB-ESOP16方案，系统成本更低。

        芯片具有功率补偿功能，可以实现高压（180V-260V）,低压（90V-150V）输入电压变化时，功率保持恒定。
        芯片输出电流为正弦电流波形，THD参数可以满足IEC-61000-3-2(C级)要求。      
        芯片过温保护点（130℃），表面温度。
        封装形式：RM9001DA - ESOP8，RM9001DB - ESOP16。

 


2.RM9001DA原理图



注：单颗芯片建议功率最大做到15W（230Vin）,更大功率方案可以采用多颗芯片并联使用。


RM9001DB  ESOP16  减少0R跳线电阻设计




注：RM9001DB   ESOP16  主要应用于投光灯项目，主要特点是可以完全不用跳线0R电阻，最大程度节约BOM成本，单颗芯片可以做到15W(230Vin)。


3.RM9001DA(DB)功率调整

  RM9001DA（DB）调整输入功率仅仅通过调整一个电阻就可以，如图中CS1.计算方法如下：



OUT1~OUT4随着输入电压升高，逐级开启，系统各端口的电流如下：




系统输出的平均电流等于各个端口电流值的平均叠加，Vcp的取值范围介于0.4V~4.2V，建议调整Vcp电压到1.5V左右为最优的方案参数，保证功率恒定，2号脚位（VDD）连接电容主要作用是给芯片供电具体参数为（4.7uF/16V）-最优值。3号脚位（COMP）连接电容主要作用是调整In,也就是1号脚CS取样电阻上的平均电流，具体参数为（220nF/16V）-最优值。


4.RM9001DA（DB）灯珠比例设置

 

注：按照建议的灯珠比例设置可以获得较好的光效和较高的功率因数，THD满足C级谐波标准，因为不同客户方案应用不相同，在表中给定的灯珠比例数量的情况下，为了布线方便可以根据实际情况适当调整每一段的灯珠颗数，不会对光效和功率因数及THD有大的影响，实际情况以测试数据为准。


5. RM9001DA(DB) 雷击浪涌设计




交流输入端FR1（保险电阻），可以根据实际客户要求，决定是否需要添加，主要目的是安规需要。

交流输入端串联的抗浪涌保护线绕电阻，如图FR2,FR3,可以明显改善抗雷击浪涌，阻值越大，效果越明显，但是电阻越大，功耗也越大。根据输入电流，以计算，选取合适阻值和功率的抗浪涌保护线绕电阻，并留适当的裕量。

大功率应用时，如果要通过更高要求的浪涌电压，可以采取使用两级压敏，如:前级使用14D471,后级使用10D471方案。

大功率投光灯方案，L N->PE也会有要求，线对壳体的耐压测试主要考验的是铝基板的耐压，对铝基板的耐压要求很高，如果要测试L N->PE，可以考虑使用高耐压的铝基板，或者考虑在壳体和铝基板之间增加导热硅胶垫。

大功率投光灯方案在抗雷击能力和传导（EMI）方面，LED及芯片的引脚铜箔面积增加会导致抗雷击和传导（EMI）数据变差，在线路板布板的时候，保证通过电流的情况下铜箔的宽度不要超过LED焊盘宽度，如下图：



 大功率投光灯应用时可以在芯片（RM9001DA）5号脚对地接一个高压贴片电容（EC1），容量103/500V（or）1000V，可以提高IC的抗雷击能力。                           

6. RM9001DA（DB） （10W-200W）方案应用参数















 
7.RM9001DA(DB) 230V 15W 传导测试数据

 

RM9001DA（DB） 方案应用不需要添加任何外围器件，传导辐射可以通过，并且裕量很大。